美光量产HBM3E高带宽内存:功耗将比对手产品低30%
  • 鹿角
  • 2024年02月27日 09:32
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快科技2月27日消息,美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称,其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30%。

据悉,美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应,如今美光、三星都将加入。

HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,属于图形DDR内存的一种,通过使用先进的封装方法(如TSV硅通孔技术)垂直堆叠多个DRAM,与GPU通过中介层互联封装在一起。

HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。CPU处理的任务类型更多,且更具随机性,对速率及延迟更为敏感,HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算,英伟达新一代AI芯片,均搭载HBM内存。

HBM产品问世至今,HBM技术已经发展至第四代,分别为HBM、HBM2、HBM2E、HBM3,第五代HBM3E目前已量产,HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。

美光量产HBM3E高带宽内存:功耗将比对手产品低30%

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