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快科技9月10日消息,美光官方宣布,已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存,单颗容量达36GB,比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。 它将用于顶尖的AI、HPC计算产品,比如NVIDIA H200、B200等
据三名知情人士对媒体透露,全球最大存储芯片制造商三星电子的第五代高带宽内存芯片(HBM3E)的8层版本已通过英伟达的测试,可用于其人工智能处理器。 这对于三星来说绝对是一个重大突破。目前,
快科技6月21日消息,据媒体报道,NVIDIA近期开出13亿美元的预算,向美光和SK海力士预订HBM3E的产能,以确保其GH200和H200芯片的顺利出货。 尽管有专家指出,13亿美元的预算数字尚需进一步确认,
快科技3月25日消息,据媒体报道,英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存,这些内存将由三星电子独家供货。 在GTC 2024上,黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认
快科技3月19日消息,在今天的英伟达GTC 2024大会上,英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell,第一款Blackwell芯片名为GB200,将于今年晚些时候上市。 采用台积电4NP工艺制程,配备192 HB
快科技3月7日消息,三星日前宣布了全球首款36GB超大容量的新一代高带宽内存HBM3E,而在3月19日凌晨开幕的NVIDIA GTC 2024技术大会上,三星将首次进行公开展示。 三星HBM3E采用了24Gb颗粒、12层
快科技2月27日消息,今天,三星电子官方宣布,成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM,巩固了在高容量HBM市场的领先地位。 通过采用TSV技术,三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层,从而
快科技2月27日消息,美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称,其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30%。 据悉,美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。之前英伟达的HB
快科技11月27日消息,据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示,为了更妥善且健全的供应链管理,英伟达正规划加入更多的HBM供应商。 其中,三星的HBM3(24GB)预期于今年12月在NVIDIA完
作为中国IC设计产业一年一度的盛会,第29届中国集成电路设计业2023年会(ICCAD)在广州举办,300多家企业、4000多位业界人士参会。 作为中国一站式高端IP和芯片定制领军企业,芯动科技带来了高端